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Phase-Change Memory Funktionsfähiger TLC‑PCM mit 3 Bit von IBM Research
Die Forscher von IBM Research – Zürich verkünden einen neuen Meilenstein auf dem Weg zu einer höheren Datendichte für Phase-Change Memory.
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News Update HGST: Schnellste SSD der Welt mit Phasenwechselspeicher
Auch bei Western Digitals Tochterunternehmen HGST rückt Flash-Speicher immer mehr in den Fokus. Anlässlich des Flash Memory Summit stellt HGST neue …
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News Micron liefert Phase Change Memory an Nokia aus
Auf den Beginn der Massenproduktion von Phase Change Memory (PCM, auch PRAM genannt) in 45 Nanometer Strukturbreite lässt Micron nun die …
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News Microns Phase Change Memory für Mobilgeräte verfügbar
Wie der US-amerikanische Speicherriese Micron verkündet, bietet er als erstes Unternehmen in 45 nm gefertigten Phase Change Memory (PCM, auch PRAM …
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News IBM zeigt Multi-Level Phase-Change Memory
Forscher von IBM Research ist ein entscheidender Schritt bei der breiten Nutzbarmachung von sogenanntem Phase-Change Memory (PCM) oder PRAM …
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News Samsung kündigt erstes MCP mit PRAM an
Samsung hat angekündigt im Laufe dieses Quartals mit der Auslieferung des ersten Multi Chip Packages mit PRAM zu beginnen, das für Mobilgeräte …
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News Samsung beginnt mit Produktion von PRAM
Samsung hat mit der Massenproduktion von PRAMs (Phase Change Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 512 Megabit begonnen. Dies gab …
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News Samsung beginnt Massenproduktion von PRAM im Juni
Der Speicherhersteller Samsung wird im Juni mit der Massenproduktion von PRAM (Phase Change Random Access Memory) beginnen. PRAM ist ein …
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News PRAM: Samsungs 30-mal schnellerer Speicher
Samsung gab bekannt, den ersten Prototypen eines „Phase-change Random Access Memory“ (PRAM) fertiggestellt zu haben, welcher innerhalb von zehn …
